集成电路先进封装工艺——Cu-Cu键合技术
微电子封装中的互连键合是集成电路（integrated circuit，IC）后道制造中关键和难度大的环节，直接影响集成电路本身的电性能、光性能和热性能等物理性能，很大程度上也决定了IC产品的小型化、功能化、可靠性和生产成本。然而，随着封装密度的增加以及器件功率的增大，CU凸点面临尺寸大幅减小并且互连载流量大幅增加等问题，产业界成熟的Cu-Cu键合方法已很难适应高密度封装的快速发展，研发更为先进的Cu-Cu键合技术并推向产业化是当前迫在眉睫的需求。 针对电子封装行业中所面临的技术需求，该书系统介绍了国内外Cu-Cu键合技术的研究现状，并结合作者及课题组全体研究人员长期在微电子封装领域的研究积累，梳理了基于表面活化的Cu-Cu键合、基于金属纳米焊料的Cu-Cu键合、基于自蔓延反应的Cu-Cu键合以及先进键合技术在Cu凸点互连中的应用等多个热点研究内容，并在实验方法、工艺优化、理论研究等多个方面进行了深入探讨。 《集成电路先进封装工艺——Cu-Cu键合技术》全面、深入地介绍了集成电路封装中先进的Cu-Cu键合技术和新的研究进展，可供高年级本科生、研究生以及从事集成电路封装与互连／键合工艺研究的技术人员参考和阅读。