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半导体工艺与测试实验
谢德英 陈晖 黄展云 陈军
- 扉页
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- 绪论
- 1.1 实验目的
- 1.2 实验要求
- 1.3 洁净室简介
- 1.4 实验室安全与注意事项
- 半导体工艺实验
- 2.1 光掩模版介绍
- 2.2 工艺流程介绍
- 2.3 硅片清洗实验
- 2.4 热氧化工艺实验
- 2.5 光刻工艺实验
- 2.6 湿法刻蚀工艺实验
- 2.7 磷扩散工艺实验
- 2.8 金属蒸镀工艺实验
- 半导体材料与器件特性表征实验
- 3.2 四探针法测量硅片电阻率与杂质浓度实验
- 3.3 半导体材料的霍尔效应测量实验
- 3.4 pn结的电容-电压(C-V)特性测试实验
- 3.5 双极型晶体管的直流参数测试实验
- 3.6 薄膜晶体管器件电学特性测试实验
- 3.7 MOS结构的Si-SiO2界面态密度分布测量实验
- 综合实验
- 4.1 半导体仿真工具SILVACO TCAD介绍
- 4.2 工艺仿真的基本操作
- 4.3 PMOS器件工艺仿真实验
- 4.4 半导体器件物理特性仿真实验
- 4.5 半导体器件设计实验
- 4.6 半导体器件制备和特性测试实验
- 参考文献
半导体工艺与测试实验
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《半导体工艺与测试实验》
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