Name: 等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用（高端集成电路制造工艺丛书）
Author: 张海洋
ISBN: 9787302489597

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等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用（高端集成电路制造工艺丛书）

张海洋

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低温等离子体蚀刻技术发展史
1.1绚丽多彩的等离子体世界
1.2低温等离子体的应用领域
1.3低温等离子体蚀刻技术混沌之初
1.4低温等离子体蚀刻技术世纪初的三国演义
1.7未来低温等离子体蚀刻技术展望
参考文献
低温等离子体蚀刻简介
2.1等离子体的基本概念
2.2低温等离子体蚀刻基本概念
2.3等离子体蚀刻机台简介
2.3.1电容耦合等离子体机台
2.3.2电感耦合等离子体机台
2.3.3电子回旋共振等离子体机台
2.3.4远距等离子体蚀刻机台
2.3.5等离子体边缘蚀刻机台
2.4等离子体先进蚀刻技术简介
2.4.1等离子体脉冲蚀刻技术
2.4.2原子层蚀刻技术
2.4.3中性粒子束蚀刻技术
2.4.4带状束方向性蚀刻技术
2.4.5气体团簇离子束蚀刻技术
参考文献
3.1逻辑集成电路的发展
3.2浅沟槽隔离蚀刻
3.2.1浅沟槽隔离的背景和概况
3.2.2浅沟槽隔离蚀刻的发展
3.2.3膜层结构对浅沟槽隔离蚀刻的影响
3.2.4浅沟槽隔离蚀刻参数影响
3.2.8浅沟槽隔离蚀刻中的负载调节
3.3多晶硅栅极的蚀刻
3.3.1逻辑集成电路中的栅及其材料的演变
3.3.2多晶硅栅极蚀刻
3.3.3台阶高度对多晶硅栅极蚀刻的影响
3.3.4多晶硅栅极的线宽粗糙度
3.3.5多晶硅栅极的双图形蚀刻
3.3.6鳍式场效应晶体管中的多晶硅栅极蚀刻
3.4等离子体蚀刻在锗硅外延生长中的应用
3.4.1西格玛型锗硅沟槽成型控制
硅锗外延生长的影响
3.5伪栅去除
3.5.1高介电常数金属栅极工艺
3.5.2先栅极工艺和后栅极工艺
3.5.3伪栅去除工艺
3.6偏置侧墙和主侧墙的蚀刻
3.6.1偏置侧墙的发展
3.6.2侧墙蚀刻
3.6.3先进侧墙蚀刻技术
3.6.4侧墙蚀刻对器件的影响
3.7应力临近技术
3.7.1应力临近技术在半导体技术中的应用
3.7.2应力临近技术蚀刻
3.8接触孔的等离子体蚀刻
3.8.1接触孔蚀刻工艺的发展历程
圆整度的影响
形状的影响
3.8.5接触孔蚀刻停止层蚀刻步骤的优化
3.8.6晶圆温度对接触孔蚀刻的影响
3.9后段互连工艺流程及等离子体蚀刻的应用
3.9.1后段互连工艺的发展历程
3.9.2集成电路制造后段互连工艺流程
3.10第一金属连接层的蚀刻
3.10.1第一金属连接层蚀刻工艺的发展历程
电性能的影响
3.11通孔的蚀刻
3.11.1工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求
3.12金属硬掩膜层的蚀刻
3.12.1金属硬掩膜层蚀刻参数对负载效应的影响
3.12.2金属硬掩膜层材料应力对负载效应的影响
3.13介电材料沟槽的蚀刻
3.13.1工艺整合对介电材料沟槽蚀刻工艺的要求
轮廓图形及电性能的影响
轮廓图形及电性能的影响
3.14钝化层介电材料的蚀刻
3.15铝垫的金属蚀刻
参考文献
4.1闪存的基本介绍
4.1.1基本概念
4.1.2发展历史
4.1.3工作原理
4.1.4性能
4.1.5主要厂商
4.2等离子体蚀刻在标准浮栅闪存中的应用
4.2.1标准浮栅闪存的浅槽隔离蚀刻工艺
4.2.2标准浮栅闪存的浅槽隔离氧化层回刻工艺
4.2.3标准浮栅闪存的浮栅蚀刻工艺
4.2.4标准浮栅闪存的控制栅极蚀刻工艺
4.2.5标准浮栅闪存的侧墙蚀刻工艺
4.2.6标准浮栅闪存的接触孔蚀刻工艺
4.2.7特殊结构闪存的蚀刻工艺
4.2.8标准浮栅闪存的SADP蚀刻工艺
4.33DNAND关键工艺介绍
4.3.1为何开发3DNAND闪存
4.3.23DNAND的成本优势
4.3.33DNAND中的蚀刻工艺
4.4新型存储器与系统集成芯片
4.4.1SoC芯片市场主要厂商
4.4.2SoC芯片中嵌入式存储器的要求与器件种类
4.5.1相变存储器的下电极接触孔蚀刻工艺
4.5.2相变存储器的GST蚀刻工艺
参考文献
等离子体蚀刻工艺中的经典缺陷介绍
5.1缺陷的基本介绍
5.2.1蚀刻机台引起的缺陷
5.2.2工艺间的互相影响
5.2.3蚀刻工艺不完善所导致的缺陷
参考文献
6.1特殊气体在等离子体蚀刻中的应用
6.1.1气体材料在半导体工业中的应用及分类
6.1.3特殊气体等离子体蚀刻及其应用
6.2超低温工艺在等离子体蚀刻中的应用
6.2.1超低温等离子体蚀刻技术简介
6.2.2超低温等离子体蚀刻技术原理分析
6.2.3超低温等离子体蚀刻技术应用
参考文献